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HT-37-1智能除濕裝置 南昌自來水廠技改如果IGBT模塊內(nèi)部同時包含了驅(qū)動保護等相關電路，則稱之為IPM或DIPIPMTM模塊　就IGBT的芯片基本結(jié)構(gòu)來說，IGBT芯片可以認為是MOSFET*7柵結(jié)構(gòu)和雙極型晶體管相結(jié)合而進化形成的混合型功率芯片　因此具有雙極型晶體管和功率MOSFET的雙重特點　

IGBT與其它半導體元器件一樣也是在硅、碳化硅、氮化鎵等半導體材料上通過半導體工藝如外延、光刻、刻蝕、離子注入和擴散等工藝加工而成的一種多PN結(jié)半導體器件，因而也具有一般半導體器件所具有的特點，如存在耐壓、耐電流、耐溫要求


圖2是典型IGBT芯片結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為其等效電路　電氣參數(shù)存在溫度相關性以及寄生電感、寄生電容等寄生參數(shù)　同時IGBT芯片又可以看做達林頓結(jié)構(gòu)MOSFET和晶體管組成的復合型芯片，又具有自身的特點，如門極采用MOSFET柵結(jié)構(gòu)，電壓驅(qū)動#65380　


在實際應用中，需要特別留意寄生參數(shù)對IGBT工作帶來的影響，相比其它主要參數(shù)如耐溫、耐壓、額定電流，寄生參數(shù)由于#數(shù)值低、難以測試評價等因素容易被忽略而導致IGBT在運行過程中發(fā)生故障

HT-37-1智能除濕裝置 南昌自來水廠技改驅(qū)動功率低#65380　開關速度快，但柵極易受浪涌電壓干擾#65380　易發(fā)生過壓損壞　工作電流大，導通壓降低，但不允許長時間短路等　通常認為功率半導體器件為雙穩(wěn)態(tài)器件，工作狀態(tài)主要是通態(tài)和阻態(tài)　但在實際應用過程中功率半導體器件卻表現(xiàn)出更多方面的特性，除了通態(tài)和阻態(tài)外，還有開通、關斷、觸發(fā)、恢復、熱和機械等特性