CS-900智能除濕裝置 昆都侖區(qū)會展中心采購
以IGBT為基礎(chǔ)，許多功率器件如IGBT模塊#65380 IPM*2#65380 DIPIPMTM*3得到了快速發(fā)展 IGBT作為這些功率器件的核心，其在應(yīng)用過程中的要點和原則，同樣適用于這些功率器件 只有充分了解IGBT的特性和應(yīng)用要點才能更好地理解和使用由IGBT進化而來的各種器件
通常大家所提到的IGBT，一般指分立IGBT器件或IGBT模塊，這些器件的結(jié)構(gòu)和工作機理都是以IGBT芯片為基礎(chǔ)，一代IGBT芯片技術(shù)決定了一代IGBT模塊#65380 IPM#65380 DIPIPMTM等以IGBT為基礎(chǔ)的關(guān)聯(lián)器件的主要性能
近20年來，IGBT芯片技術(shù)的發(fā)展很快，技術(shù)改進方案很多，每種技術(shù)改進措施的實施，都會把IGBT芯片的性能向前推進 IGBT芯片發(fā)展大體經(jīng)歷了平面柵PT*4型IGBT#65380 溝槽柵PT型IGBT#65380 載流子存儲溝槽柵型CSTBTTM*5 LPT*6 IGBT等進化過程，不同芯片具有不同的結(jié)構(gòu)#65380
制造工藝和工作特性，IGBT芯片技術(shù)進化方向總是圍繞著如何把“通態(tài)壓降-開關(guān)時間”的矛盾處理到更為優(yōu)化的折中點，通過優(yōu)化IGBT芯片的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性使器件的功耗#65380 噪聲#65380 短路能力等關(guān)鍵性能指標得到提升 因此在各類以IGBT為基礎(chǔ)的器件的應(yīng)用過程中，了解該器件所采用IGBT芯片的特性
圖1給出了由IGBT進化而來的各種相關(guān)功率器件的
由圖1可以看出IGBT芯片是IGBT關(guān)聯(lián)器件的核心，把IGBT芯片單體通過封裝工藝制造出來的是IGBT分立器件 把多個IGBT芯片按照一定拓撲進行電氣連接并進行封裝就形成了IGBT模塊
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