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“IGBT芯片的特性直接決定了IGBT器件的特性，同時(shí)又受到其它外圍驅(qū)動(dòng)參數(shù)的影響，對于分立IGBT的實(shí)際應(yīng)用來說，驅(qū)動(dòng)保護(hù)設(shè)計(jì)與散熱設(shè)計(jì)是其中兩個(gè)#重要的技術(shù)要點(diǎn)，對于器件的運(yùn)行乃#電力變換裝置的可靠性和壽命#關(guān)重要


” 講座導(dǎo)語DIPIPMTM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱，由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用

1.2 IGBTIPMDIPIPMTM定義及應(yīng)用基礎(chǔ)（1）1.2.1 IGBT定義及主要特性IGBT*1是絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor）的英文縮寫


本講座主要介紹DIPIPMTM的基礎(chǔ)、功能、應(yīng)用和失效分析技巧，旨在幫助讀者全面了解并正確使用該產(chǎn)品　作為一種典型的單極型和雙極型混合器件，從20世紀(jì)80年代后期投放市場以來，IGBT依靠高開關(guān)速度#65380　大關(guān)斷電流#65380　高阻斷電壓等優(yōu)點(diǎn)在電力變換裝置中被廣泛應(yīng)用