SD-L60智能除濕裝置 安次區(qū)抽水蓄能電力供應(yīng)
因此僅僅了解器件的通態(tài)、阻態(tài)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，要充分發(fā)揮器件的性能，需要更好地了解器件的開(kāi)通特性和關(guān)斷特性及這些特性與器件寄生參數(shù)之間的關(guān)系 圖4是IGBT半橋開(kāi)關(guān)測(cè)試電路，采用電感作為開(kāi)關(guān)測(cè)試的負(fù)載，可以用來(lái)對(duì)IGBT的開(kāi)關(guān)進(jìn)行評(píng)價(jià) 圖4中虛線(xiàn)部分為IGBT的寄生電容，這些寄生電容對(duì)于IGBT的開(kāi)關(guān)特性有直接影響
圖5是IGBT的理想開(kāi)通波形，柵極驅(qū)動(dòng)電壓UG在t0時(shí)刻通過(guò)柵極電阻RG加到IGBT柵極，UGE開(kāi)始上升，向IGBT的柵射極電容CGE充電，當(dāng)UGE上升到IGBT開(kāi)啟電壓時(shí)，IGBT集電極電流Ic開(kāi)始隨著UGE上升而上升，同時(shí)續(xù)流二極管的電流開(kāi)始下降，續(xù)流二極管電流和IGBT電流之和等于輸出電流Io
在t1~t2期間，續(xù)流二極管的電流下降但仍處于正向偏置導(dǎo)通，這意味著直流母線(xiàn)電壓仍然加在IGBT的C和E兩端，IGBT輸出電流是Io的一部分，這期間IGBT的功率損耗較大 從t2時(shí)刻起，負(fù)載電流全部由IGBT承擔(dān)，此時(shí)二極管電流下降到零 圖6是IGBT的實(shí)際開(kāi)通波形，考慮了二極管反向恢復(fù)和寄生電感的影響
當(dāng)IGBT電流Ic在t1時(shí)刻開(kāi)始上升時(shí)，寄生電感影響電流變化率，uCE下降引起寄生電容CGC(密勒電容)放電，該電流從柵極流向集電極，減少了向柵射極電容充電，從而使uGE上升率減少，導(dǎo)致集電極電流上升率減少
在t2時(shí)刻，二極管正向電流為零，負(fù)載電流在此過(guò)程中不發(fā)生改變，二極管反向恢復(fù)電流由IGBT承擔(dān)，此時(shí)IGBT電流超過(guò)輸出電流 在t3時(shí)刻，流過(guò)IGBT的電流等于輸出電流Io和二極管反向恢復(fù)峰值電流IRR之和，二極管開(kāi)始恢復(fù)反向阻斷能力，反向恢復(fù)電流開(kāi)始逐步減少
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