| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | behlke | 型號(hào) | SCR |
| 種類 | 電阻測量儀表 | 用途 | 開關(guān)特性測試儀 |
| 功率 | 10W | 溫度 | 15 ℃ |
| 結(jié)構(gòu)型式 | 臺(tái)式 | 適用范圍 | 工廠 |
| 產(chǎn)品認(rèn)證 | UL | 加工定制 | 否 |
| 是否進(jìn)口 | 是 | 外形尺寸 | 360mm*280mm*300mm |
| 產(chǎn)地 | 北京 | ||
behlke高壓開關(guān)
開關(guān)，電流取決于導(dǎo)通時(shí)間，可控硅晶閘管。 千安應(yīng)用，充電和放電，撬棍。
開關(guān)，固定導(dǎo)通時(shí)間，標(biāo)準(zhǔn)，MOSFET。一般脈沖應(yīng)用、充電和放電、脈沖電場。
開關(guān)，固定導(dǎo)通時(shí)間， 高di/dt，MOSFET。大電流、高頻、的突發(fā)能力、快速充放電。
開關(guān)，固定導(dǎo)通時(shí)間，超快， MOSFET 。大電流、高di/dt 、中低頻、超快充放電。
開關(guān)，固定導(dǎo)通時(shí)間，低導(dǎo)通電阻，溝槽 FET。 大電流，中速充放電。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，標(biāo)準(zhǔn)，MOSFET。 一般脈沖和開關(guān)應(yīng)用，快速上升時(shí)間，高頻。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，高 di/dt，MOSFET。 ^ hIGH在中等頻率的電流，快速上升時(shí)間。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，低電容，MOSFET。 低耦合電容。LC2 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)具有出色的瞬態(tài)抗擾度。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，低導(dǎo)通電阻，碳化硅 FET 和溝槽 FET。 高電流、低導(dǎo)通損耗
開關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，交流 MOSFET。pos的雙向開關(guān)。＆否定。電壓無極變化。交流高達(dá) 5 MHz。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，IGBT。中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開關(guān)。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，MCT 晶閘管。 中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開關(guān)。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，推挽，MOSFET。半橋配置中的兩個(gè)開關(guān)路徑。真正的方波脈沖。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，交流推挽，MOSFET。無極性變化的正負(fù)電壓半橋。
高壓脈沖發(fā)生器單元。實(shí)驗(yàn)室脈沖發(fā)生器單元、特殊用途的 OEM 脈沖發(fā)生器單元、普克爾斯電池驅(qū)動(dòng)器。
