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IGBT、功率模塊測試：參數(shù)測試與可靠性試驗

        功率半導(dǎo)體產(chǎn)品形態(tài)多種多樣，幾乎所有與電力能源相關(guān)的產(chǎn)品都需要用到功率半導(dǎo)體器件。按照年產(chǎn)值貢獻口徑，IGBT、MOSFET、二極管和整流橋是功率半導(dǎo)體*主要的四個產(chǎn)品類別，占據(jù)功率半導(dǎo)體八成左右市場。

解決方案

       廣電計量（GRGT）積極布局新型IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件的測試業(yè)務(wù)，引進國際先進的測試技術(shù)，為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供器件全參數(shù)檢測服務(wù)。同時，廣電計量通過構(gòu)筑檢測認證與分析一體化平臺，為客戶提供器件可靠性驗證及失效分析，幫助客戶分析失效機理，指導(dǎo)產(chǎn)品設(shè)計及工藝改進。

靜態(tài)、動態(tài)參數(shù)測試項目：

• Drain to Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓
• Drain Leakage Current 漏極漏電流
• Gate Leakage Current (Positive gate bias) 柵極漏電流 (正向柵偏)
• Gate Leakage Current (Negative gate bias) 柵極漏電流 (反向柵偏)
• Gate Threshold Voltage (VGS = VDS) 柵極閾值電壓 (VGS = VDS)
• Gate Threshold Voltage (Constant VDS) 柵極閾值電壓 (恒定VDS)
• Transconductance 跨導(dǎo)
• Drain to Source On Resistance 漏極-源極導(dǎo)通電阻
• Drain to Source On Voltage 漏極-源極導(dǎo)通電壓
• Body Diode Forward Voltage 體二極管正向電壓
• Internal Gate Resistance 柵極內(nèi)阻
• Input Capacitance 輸入電容
• Output Capacitance 輸出電容
• Reverse Transfer Capacitance 反向傳輸電容
• Total Gate Charge 柵極電荷
• Gate to Source Charge 柵極-源極電荷
• Gate to Drain Charge 柵極-漏極電荷
• Gate to Source Plateau Voltage 柵極-源極平臺電壓
• Turn-On Delay Time 開通延遲時間
• Rise Time 上升時間
• Turn-Off Delay Time 關(guān)斷延遲時間
• Fall Time 下降時間
• Turn-on energy 開通能量
• Turn-off energy 關(guān)斷能量
• Reverse Recovery Time 反向恢復(fù)時間
• Reverse Recovery Charge 反向恢復(fù)電荷
• Reverse Recovery Current 反向恢復(fù)電流
• Peak Diode Recovery 二極管反向恢復(fù)峰值
• ID-VDS curve with various VGS 不同VGS下的ID-VDS曲線
• ID-VGS curve with constant VDS 恒定VDS下的ID-VGS曲線
• Gfs-VGS curve with constant VDS 恒定VDS下的Gfs-VGS曲線
• RDS(on)-ID curve with various VGS 不同VGS下的RDS(on)-ID曲線
• RDS(on)-VGS curve with various ID 不同ID下的RDS(on)-VGS曲線
• VDS-VGS curve with various ID 不同ID下的VDS-VGS曲線
• Forward current characteristics of built-in diode 內(nèi)置二極管的IS-VS曲線
• Capacitance to VDS curve including Ciss, Coss and Crss Ciss/Coss/Crss電容-VDS曲線
• Gate charge to VGS curve 柵極電荷-VGS曲線
• short-circuit capability 短路耐量
• thermal resistance, junction - case 結(jié)-殼熱阻

IGBT\功率模塊可靠性試驗項目：

• External Visual 外觀檢查
• High Temperature Reverse Bias 高溫反向偏壓
• High Temperature Gate Bias 高溫柵極偏壓
• Thermal shock test 熱沖擊
• Vibration 振動
• Mechanical shock 機械沖擊
• Unbiased Highly Accelerated Stress Test 無偏高加速應(yīng)力試驗
• Autoclave 高壓釜試驗
• Highly Accelerated Stress Test 高加速應(yīng)力試驗
• High Humidity High Temp. Reverse Bias 高溫高濕反向偏壓
• High-temperature storage 高溫存儲
• Low-temperature storage 低溫存儲
• Insulation test 絕緣測試
• Power cycling 功率循環(huán)
• Power cycle 功率循環(huán)
• ESD Characterization EDS特性
• Destructive Physical Analysis 破壞性物理分析
• Physical Dimension 物理尺寸
• Resistance to Solder Heat 焊接熱耐久性
• Solderability 可焊性
• Thermal Resistance 熱阻
• Wire Bond Strength 引線鍵合強度
• Bond Shear 鍵合剪切試驗
• Die Shear 芯片剪切試驗
• Dielectric Integrity 介電強度試驗