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產品簡介
ENI GHW-12Z 射頻等離子發(fā)生器
產品價格:¥6589.00元/個
上架日期:2023-07-20
發(fā)貨地:福建 廈門市
供應數(shù)量:不限
最少起訂:1個
瀏覽量:420
詳細說明
    詳細參數(shù)
    品牌ENI型號GHW-12Z
    結構形式模塊式安裝方式控制室安裝
    LD指令處理器硬PLC功能射頻等離子發(fā)生器
    工作電壓200/208VAC輸出頻率13.56MHz
    處理速度500MHzPowerPC程序容量500M
    產品認證CE環(huán)境溫度0°Cto,60°C
    環(huán)境濕度0到90%的相對濕度,無冷凝加工定制
    重量14.8公斤外形尺寸89x483x508毫米

    ENI  GHW-12Z  射頻等離子發(fā)生器






    型號
    型號 GHW-12Z
    MN GHW12Z-13DF2NH-002
    PN 0190-25530
    特性
    輸出功率 1250W
    頻率 13.56MHz





    技術規(guī)格
    類型射頻等離子發(fā)生器
    頻率13.56 兆赫±0.005%
    動態(tài)功率范圍10 - 1250 瓦
    功率輸出1.25 千瓦
    負載阻抗范圍無限
    射頻穩(wěn)定性/雜散輸出無條件穩(wěn)定運行范圍內的任何負載 <-45dBc
    諧波輸出和失真<-40dBc
    負載失配保護在反向功率達到預編程水平 = 額定功率的 16% 后,自動正向功率限制通常為 0.25 毫秒。
    監(jiān)管容忍度>125 瓦:±1.5% SP,<125 瓦:±3.0 瓦
    輸入交流電源200/208 VAC, 3/PE~ (3W+G) 14 A/相, 380/400 VAC, 3/PE~ (3W+G) 7.5 A/相



    GHW50 13.56 MHz、5 kW、RF 等離子發(fā)生器提供經過現(xiàn)場驗證的可靠性、卓越的穩(wěn)定性和的可重復性,以實現(xiàn)高正常運行時間和工藝良率。GHW 系列射頻等離子發(fā)生器可提供 208 VAC 和 400/480 VAC。GHW RF 等離子發(fā)生器非常適用于集成電路、平板顯示器和數(shù)據存儲設備制造過程中的等離子增強化學氣相沉積 (PECVD)、高密度等離子 CVD (HDPCVD)、蝕刻和其他薄膜應用。所有 MKS Instruments 的射頻發(fā)生器都經過 NRTL 認證和 CE 標志








    The ghw50 13.56 MHz, 5 kW, RF plasma generator provides field proven reliability, excellent stability and unparalleled repeatability to achieve high uptime and process yield. GHW Series RF plasma generator can provide 208 VAC and 400 / 480 vac. GHW RF plasma generator is very suitable for plasma enhanced chemical vapor deb (PECVD), high density plasma CVD (HDPCVD), etching and other thin film applications in the manufacturing of integrated circuits, flat panel displays and data storage devices. All the RF generators of MKS instruments are NRTL certified and CE marked




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