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日本田中貴金屬工業(yè)與九州大學研究生院工學研究院應用化學部門教授小江誠司，共同開發(fā)出了可使DRAM電容器電極深度提高至以往6倍的釕（Ru）成膜材料。田中貴金屬工業(yè)計劃在2012年完成新材料的產(chǎn)品化，以便促進開發(fā)新一代DRAM的半導體廠商在制造工序中全面引進有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD）。
此次的材料將用于20nm以后的新一代DRAM中�？删鶆蛐纬蔀楂@取表面積深挖而成的電容電極�？蓱糜谏疃葹�10μm、開口直徑為250nm等長寬比為40的深孔中。以往MOCVD法使用Ru材料能形成的電極薄膜細孔長寬比最高僅為6。
此次開發(fā)出的Ru材料是用環(huán)辛四烯與羰基有機化合物與Ru合成的有機金屬錯合物，成膜時容易蒸發(fā)，因此易于析出金屬。165℃的低溫下也可在長寬比為40的細孔內(nèi)部，以70％的覆蓋率形成Ru薄膜。另外，還可用于在氧化破壞較少的氫氣（H2）環(huán)境下成膜。此次開發(fā)出的Ru材料可比原有材料更為平滑地成膜，膜厚為12nm時的RMS值降至1.1nm以下。成膜工序中有機化合物的分解物不易混入金屬內(nèi)，可形成高純度的Ru膜。此次開發(fā)出的Ru材料還有一個特點就是熔點較低、可在室溫下為液體，因此便于運輸和使用。（記者：三宅 常之，Tech-On�。�
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