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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 制備富硅SiNx薄膜
發(fā)布者:bdqysh  發(fā)布時(shí)間:2021-03-15 15:45:18

云南某實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  射頻磁控濺射沉積方法在不同溫度的 Si100)襯底和石英襯底上制備了富硅 SiNx 薄膜用于研究硅量子點(diǎn) SiN 薄膜的光譜特性該實(shí)驗(yàn)?zāi)康氖?/span>優(yōu)化含硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜的制備參數(shù), 在硅基光電子器件的應(yīng)用方面有重要意義.

 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

離子源型號(hào)

RFICP220

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>800 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦,   平行,   散射

流量

10-40 sccm

通氣

Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000

可選燈絲中和器可變長(zhǎng)度的增量

KRI 射頻離子源 RFICP 220

實(shí)驗(yàn)室采用 Fourier 變換紅外光譜、Raman 光譜、掠入射 X 射線衍射和光致發(fā)光光譜對(duì)退火后的薄膜樣品進(jìn)行了表征.

 

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

 

因此,  該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

 

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的代理商.

 

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