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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 鍍制氣體傳感器 WO3 薄膜
發(fā)布者:bdqysh  發(fā)布時(shí)間:2021-01-22 14:35:40

某傳感器制造商為了制備出具有高結(jié)晶度、大比表面積、排列規(guī)則的納米結(jié)構(gòu) WO3 薄膜經(jīng)過對(duì)比選擇采用  KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射沉積設(shè)備鍍制 WO3 薄膜.

 

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

射頻離子源型號(hào)

RFICP380

Discharge 陽(yáng)極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦平行散射

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

 

氣體傳感器可以將被檢測(cè)氣體的種類、濃度等信息轉(zhuǎn)變?yōu)榭蓽y(cè)信號(hào)并將計(jì)算機(jī)與被檢測(cè)到的信號(hào)連接口相連接構(gòu)成自動(dòng)的監(jiān)控、檢測(cè)系統(tǒng)氧化鎢薄膜可以吸附各種氣體從而導(dǎo)致薄膜的電阻或光學(xué)參數(shù)的變化常常應(yīng)用于氣體傳感器領(lǐng)域.

 

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

 

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