YDD-U-V3-P2-03 變送器 寶安區(qū)小學(xué)工程
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facexh001 發(fā)布時(shí)間:2024-04-25 17:34:40
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將動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)集成到緊湊的機(jī)械外殼中,可以生產(chǎn)出更實(shí)惠、更高效的電動(dòng)汽車 憑借其低開關(guān)功率損耗,GaN FET可以勝任這個(gè)工作 對(duì)于EV動(dòng)力系統(tǒng)而言,GaN FET解決方案將使功率密度加倍,同時(shí)通過集成柵極驅(qū)動(dòng)器將尺寸減小約60%,開關(guān)速度高達(dá)2.2MHz


這個(gè)諧振電流,iQN(t)是由以下公式給出的 5 WR6 IGBT(IKWH30N65WR6)和TRENCHSTOP#8482 IGBT3(IGW30N60H3)在CCM-boost PFC電路中的工作波形,證明了這種現(xiàn)象 IKWH30N65WR6包含一個(gè)集成在IGBT芯片中的反向?qū)щ姷亩O管,而后者的IGBT不包含反向?qū)щ姷亩O管

YDD-U-V3-P2-03 變送器 寶安區(qū)小學(xué)工程后者可以包括上述部分或全部附加功能,如圖8電子保險(xiǎn)絲框圖所示 此外,IC解決方案體積較小,經(jīng)過充分特征化的性能更穩(wěn)定,并能以更低的成本做到"安心"實(shí)施,這是多器件解決方案無法實(shí)現(xiàn)的 值得注意的是,TPS26620規(guī)格書中提供了幾十張性能圖和時(shí)序圖,涵蓋了各種工作條件,這些都是分立式"制造"方式難以提供的
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