YMD42-AI 電力儀表 銅陵公園技改
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facexh001 發(fā)布時間:2024-04-24 10:03:29
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更多供貨和產品選擇使市場更具競爭力,從而減少了這些專用器件的溢價 那么哪些問題決定了如何為 SiC MOSFET 或 GaN HEMT 選擇合適的柵極驅動器?#個要考慮的問題是器件用于哪種拓撲結構 對于 DC-DC 功率級中的 LLC 電路等軟開關拓撲,不一定需要隔離驅動器,可以使用更經(jīng)濟的非隔離驅動器


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其適用溫度范圍廣泛,可達-30℃~105℃、介電強度達20kVmm、絕緣層膨脹度達370%、#應對隨溫度變化產生的尺寸變化 掃描二維碼,下載產品樣本 區(qū)別于市場上種類繁多的連接方式,威圖的疊層銅母線在滿足不同場景需求的情況下采用標準化的方案,以實現(xiàn)顧客全方位的價值增長為終目的


一、阻抗匹配設計大多數(shù)PA都內部集成了到50歐姆的阻抗匹配設計網(wǎng)絡,不過也有一些高功率PA將輸出端匹配放在集成芯片外部,以減小芯片面積 常用的匹配設計有微帶線匹配設計、分立器件匹配設計網(wǎng)絡等,在典型設計中有可能會將兩者共同使用,以改善因為分立器件數(shù)值不連續(xù)帶來的匹配設計不佳的問題
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